MPN

řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 19 A 150 V onsemi, MLP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 166-2678
Výrobní číslo:: FDMC86240
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 19 A 150 V onsemi, MLP, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

82 071,00 Kč

(bez DPH)

99 306,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 31. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
3000 +	27,357 Kč	82 071,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 166-2678
Výrobní číslo:: FDMC86240
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	19A
	Maximální napětí na zdroji Vds	150V
	Typ balení	MLP
	Řada	PowerTrench
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	97mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	11nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	0.79V
	Maximální ztrátový výkon Pd	40W
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	0.75mm
	Délka	3.3mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A
	Maximální napětí na zdroji Vds 150V
	Typ balení MLP
	Řada PowerTrench
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 97mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 11nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 0.79V
	Maximální ztrátový výkon Pd 40W
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 0.75mm
	Délka 3.3mm
	Automobilový standard Ne

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10 A až 19,9A, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.