řada: OptiMOS 3 MOSFET BSZ520N15NS3GATMA1 Typ N-kanálový 21 A 150 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 754-5389
- Výrobní číslo:
- BSZ520N15NS3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
100,78 Kč
(bez DPH)
121,94 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 17 832 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 50,39 Kč | 100,78 Kč |
| 20 - 48 | 46,56 Kč | 93,12 Kč |
| 50 - 98 | 43,225 Kč | 86,45 Kč |
| 100 - 198 | 40,14 Kč | 80,28 Kč |
| 200 + | 36,805 Kč | 73,61 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 754-5389
- Výrobní číslo:
- BSZ520N15NS3GATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Typ balení | TSDSON | |
| Řada | OptiMOS 3 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 52mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 57W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 8.7nC | |
| Přímé napětí Vf | 0.9V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.1mm | |
| Šířka | 3.4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Typ balení TSDSON | ||
Řada OptiMOS 3 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 52mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 57W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 8.7nC | ||
Přímé napětí Vf 0.9V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.1mm | ||
Šířka 3.4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon OptiMOS™3 - výkonové MOSFET, 100 V
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 21 A 150 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS 3 MOSFET Typ N-kanálový 20 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 40 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 126 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ025N04LSATMA1 Typ N-kanálový 126 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSC009NE2LSATMA1 Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení