řada: OptiMOS MOSFET BSZ025N04LSATMA1 Typ N-kanálový 126 A 40 V Infineon, TSDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 214-8986
- Výrobní číslo:
- BSZ025N04LSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 15 kusech)*
464,355 Kč
(bez DPH)
561,87 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 25. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 30,957 Kč | 464,36 Kč |
| 75 - 135 | 29,426 Kč | 441,39 Kč |
| 150 - 360 | 28,175 Kč | 422,63 Kč |
| 375 - 735 | 26,939 Kč | 404,09 Kč |
| 750 + | 25,079 Kč | 376,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 214-8986
- Výrobní číslo:
- BSZ025N04LSATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 126A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | TSDSON | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 69W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 37nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.2mm | |
| Šířka | 6.1mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 5.35mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 126A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení TSDSON | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 69W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 37nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.2mm | ||
Šířka 6.1mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 5.35mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Produktové řady Infineon 40V a 60V jsou vybaveny nejen nejnižším R DS (ON) v oboru, ale také dokonalým způsobem přepínání pro aplikace rychlého přepínání. O 15 % nižší R DS(ON) a o 31 % nižší hodnota vyznamenání (R DS(on) x Q g) ve srovnání s alternativními zařízeními byla realizována technologií tenkých destiček Advanced. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu výkonu a efektivitu nákladů.
100 % testovány ohledně lavinové funkčnosti
Špičkový tepelný odpor
Optimalizované pro synchronní usměrnění
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 126 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 40 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSC009NE2LSATMA1 Typ N-kanálový 100 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ060NE2LSATMA1 Typ N-kanálový 40 A 25 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET BSZ0904NSIATMA1 Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET + Dioda Typ N-kanálový 40 A 60 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení