řada: OptiMOS MOSFET 2N7002H6327XTSA2 N-kanálový 300 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 752-7773
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-45-298
Výrobní číslo:: 2N7002H6327XTSA2
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS MOSFET 2N7002H6327XTSA2 N-kanálový 300 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 100 kusech)*

247,30 Kč

(bez DPH)

299,20 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

47 700 jednotka(y) budou odesílané od 13. listopadu 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
100 +	2,473 Kč	247,30 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 752-7773
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-45-298
Výrobní číslo:: 2N7002H6327XTSA2
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	300mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	OptiMOS
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	4Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Přímé napětí Vf	1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	0.4nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	500mW
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1mm
	Šířka	1.3mm
	Normy/schválení	No
	Délka	2.9mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada OptiMOS
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 4Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Přímé napětí Vf 1.2V
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.4nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 500mW
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1mm
	Šířka 1.3mm
	Normy/schválení No
	Délka 2.9mm
	Automobilový standard Ne

MOSFET Infineon řady OptiMOS, maximální napětí zdroje vypouštění 60 V, maximální odpor zdroje vypouštění 4 Ω – 2N7002H6327XTSA2

Tento malosignálový N-kanálový zesílený tranzistor MOSFET je navržen pro vysokorychlostní spínání v aplikacích pro povrchovou montáž. Pracuje v širokém rozsahu okolního prostředí a poskytuje kompaktní spínací prvek pro nízkoproudové obvody, kde je vyžadováno řízené vedení a rychlá odezva hradla.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovité napětí 60 V umožňuje spínání při vyšším napětí
• Maximální hodnota Rds(on) 4 Ω snižuje ztráty při vedení při nízkých proudech
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 300 mA podporuje malé signálové zátěže
• Typické náboje hradla 0.4 nC zajišťuje rychlé přepínání
• Tolerance hradlo-zdroj 20 V umožňuje flexibilní napětí
• Rozptýlení výkonu 500 mW umožňuje zvládnout tepelnou zátěž v kompaktních uspořádáních

Aplikace

• Vhodné pro posun úrovně a přepínání signálu v řídicích jednotkách
• Ideální pro obvody rozhraní snímačů napájené z baterie
• Používá se s malými relé a náhradním spínáním tranzistorů
• Lze použít pro ochranné obvody ve spotřební elektronice
• Vhodné pro kompaktní moduly řízení napájení na deskách

Jaký typ pouzdra mám očekávat při plánování uspořádání desky?

Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž SOT-23, což usnadňuje umístění na husté desky.

Jak teplota ovlivňuje provozní kapacitu?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v náročných a vysokoteplotních prostředích.

Jaké jsou rozměry mechanického půdorysu pro rozteč součástí?

Součást měří 2,9 x 1,3 x 1 mm, což je užitečné při výpočtu odstupu a umístění sousedních součástí.

Kolik svorek je k dispozici pro schéma a směrování?

Zařízení má tři kolíky kompatibilní s jednokanálovou topologií MOSFET pro snadné směrování.