řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 300 mA 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 124-9035
- Výrobní číslo:
- 2N7002H6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
4 677,00 Kč
(bez DPH)
5 658,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 45 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | 1,559 Kč | 4 677,00 Kč |
| 6000 - 12000 | 1,31 Kč | 3 930,00 Kč |
| 15000 + | 1,232 Kč | 3 696,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 124-9035
- Výrobní číslo:
- 2N7002H6327XTSA2
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 300mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 4Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500mW | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.4nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1mm | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 300mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 4Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500mW | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.4nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1mm | ||
Šířka 1.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Infineon OptiMOS™ - malé signální tranzistory MOSFET
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET 2N7002H6327XTSA2 Typ N-kanálový 300 mA 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení