řada: PowerTrench MOSFET FDC6333C Typ P, Typ N-kanálový 2.5 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

102,01 Kč

(bez DPH)

123,43 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 1 700 jednotka(y) budou odesílané od 11. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4520,402 Kč102,01 Kč
50 - 14519,514 Kč97,57 Kč
150 - 74516,204 Kč81,02 Kč
750 - 149515,412 Kč77,06 Kč
1500 +14,178 Kč70,89 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
739-0164
Výrobní číslo:
FDC6333C
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P, Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.5A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

220mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Maximální ztrátový výkon Pd

960mW

Přímé napětí Vf

0.8V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

4.7nC

Maximální provozní teplota

150°C

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Šířka

1.7 mm

Délka

3mm

Výška

1mm

Normy/schválení

No

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy