řada: HEXFET MOSFET IRLML2060TRPBF N-kanálový 1.2 A 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (20 jednotky/-ek, v balení po 20 ks)*

90,10 Kč

(bez DPH)

109,02 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 320 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 40 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 26 140 jednotka(y) budou odesílané od 12. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
20 - 1804,505 Kč90,10 Kč
200 - 4803,104 Kč62,08 Kč
500 - 9802,929 Kč58,58 Kč
1000 - 19802,699 Kč53,98 Kč
2000 +2,528 Kč50,56 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
725-9357
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-45-313
Výrobní číslo:
IRLML2060TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOT-23

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

480mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

0.67nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-16V, +16V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.25W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

3.04mm

Výška

1.02mm

Šířka

1.4mm

Automobilový standard

Ne

N-kanálový výkon MOSFET 60 až 80 V, Infineon


Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.