řada: HEXFET MOSFET IRLML2060TRPBF Typ N-kanálový 1.2 A 60 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 725-9357
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-313
- Výrobní číslo:
- IRLML2060TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
118,08 Kč
(bez DPH)
142,88 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 580 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
- Plus 20 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
- Plus 26 420 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 20 + | 5,904 Kč | 118,08 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 725-9357
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-313
- Výrobní číslo:
- IRLML2060TRPBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 480mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 0.67nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.25W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.04mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.02mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 480mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 0.67nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.25W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.04mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.02mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET 60 až 80 V, Infineon
Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 1.2 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 1.2 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET IRLML2402TRPBF Typ N-kanálový 1.2 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 5 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.6 A 40 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 5.3 A 30 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ P-kanálový 4.3 A 20 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení