řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 3.4 A 30 V Infineon, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

5 247,00 Kč

(bez DPH)

6 348,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 08. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
3000 +1,749 Kč5 247,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
913-4070
Výrobní číslo:
IRLML6346TRPBF
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3.4A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOT-23

Řada

HEXFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

80mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální ztrátový výkon Pd

1.3W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

2.9nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.02mm

Normy/schválení

No

Délka

3.04mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
PH

N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon


Řada Infineon diskrétních tranzistorů MOSFET HEXFET® obsahuje zařízení N-channel v povrchové montáži a v olovnatých obalech. A tvarové faktory, které mohou řešit téměř všechny problémy s uspořádáním desek a tepelným designem. Napříč měřítkem rozsahu rezistence vede ke ztrátám vedení, což návrhářům umožňuje zajistit optimální účinnost systému.

Tranzistory MOSFET, Infineon


Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy