řada: PD55003L-E RF MOSFET PD55003L-E Typ N-kanálový 2.5 A 40 V, PowerFLAT STMicroelectronics, počet kolíků: 14 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 714-6771P
- Výrobní číslo:
- PD55003L-E
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 5 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
832,40 Kč
(bez DPH)
1 007,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. května 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 5 - 9 | 166,48 Kč |
| 10 - 24 | 162,53 Kč |
| 25 - 49 | 158,08 Kč |
| 50 + | 153,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 714-6771P
- Výrobní číslo:
- PD55003L-E
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | RF MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Typ balení | PowerFLAT | |
| Řada | PD55003L-E | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 14 | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Maximální provozní teplota | -65°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 0.88mm | |
| Délka | 5mm | |
| Typický výkonový zisk | 19dB | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu RF MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Typ balení PowerFLAT | ||
Řada PD55003L-E | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 14 | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Maximální provozní teplota -65°C | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 0.88mm | ||
Délka 5mm | ||
Typický výkonový zisk 19dB | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistory MOSFET RF, STMicroelectronics
Vysokofrekvenční tranzistory LDMOS jsou vhodné pro satelitní odchozí spojení v pásmu L a výkonové tranzistory DMOS v aplikacích s frekvencí od 1 MHz do 2 GHz.