řada: HiperFET, Q-Class MOSFET IXFK27N80Q N-kanálový 27 A 800 V IXYS, TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 711-5382
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-347
- Výrobní číslo:
- IXFK27N80Q
- Výrobce:
- IXYS
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
659,84 Kč
(bez DPH)
798,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 12 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 118 jednotka(y) budou odesílané od 07. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 12 | 659,84 Kč |
| 13 + | 539,09 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 711-5382
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 302-53-347
- Výrobní číslo:
- IXFK27N80Q
- Výrobce:
- IXYS
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | IXYS | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 27A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 800V | |
| Typ balení | TO-264 | |
| Řada | HiperFET, Q-Class | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 320mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 170nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 5.13mm | |
| Délka | 19.96mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 26.16mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka IXYS | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 27A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 800V | ||
Typ balení TO-264 | ||
Řada HiperFET, Q-Class | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 320mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 170nC | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 5.13mm | ||
Délka 19.96mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 26.16mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkon MOSFET, IXYS HiperFET™ řady Q.
Výkonové tranzistory MOSFET s technologií N-Channel s rychlou intratinkovou diodou (HiPerFET™)
Tranzistory MOSFET, IXYS
Široká nabídka Advanced diskrétní tranzistorových MOSFET od společnosti IXYS
Související odkazy
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HiperFET TO-264, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení