řada: Si4134DY MOSFET Si4134DY-T1-GE3 Typ N-kanálový 14 A 30 V Vishay, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 710-3320
- Výrobní číslo:
- Si4134DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
174,88 Kč
(bez DPH)
211,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 3 690 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 17,488 Kč | 174,88 Kč |
| 100 - 240 | 16,45 Kč | 164,50 Kč |
| 250 - 490 | 14,845 Kč | 148,45 Kč |
| 500 - 990 | 14,03 Kč | 140,30 Kč |
| 1000 + | 13,14 Kč | 131,40 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 710-3320
- Výrobní číslo:
- Si4134DY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 14A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | Si4134DY | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.014Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.3nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Normy/schválení | IEC 61249-2-21 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada Si4134DY | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.014Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.3nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Normy/schválení IEC 61249-2-21 | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si4134DY MOSFET Typ N-kanálový 14 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI9945BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.3 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení Izolovaný
- řada: ThunderFET MOSFET SI4090DY-T1-GE3 Typ N-kanálový 20 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: ThunderFET MOSFET SI4056DY-T1-GE3 Typ N-kanálový 11.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4403CDY MOSFET SI4403CDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 13.4 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4190ADY MOSFET SI4190ADY-T1-GE3 Typ N-kanálový 18 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4850EY MOSFET SI4850EY-T1-GE3 Typ N-kanálový 8.5 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si4431CDY MOSFET SI4431CDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.2 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení