řada: SUP85N10-10P MOSFET SUP85N10-10-GE3 N-kanálový 85 A 100 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 708-5178
- Výrobní číslo:
- SUP85N10-10-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
179,08 Kč
(bez DPH)
216,69 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 4 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 372 jednotka(y) budou odesílané od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 179,08 Kč |
| 10 - 49 | 173,64 Kč |
| 50 - 99 | 164,50 Kč |
| 100 - 249 | 157,59 Kč |
| 250 + | 149,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 708-5178
- Výrobní číslo:
- SUP85N10-10-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 85A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | SUP85N10-10P | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 10.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 105nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 250W | |
| Přímé napětí Vf | 1V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 4.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.41mm | |
| Výška | 9.01mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 85A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada SUP85N10-10P | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 10.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 105nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 250W | ||
Přímé napětí Vf 1V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 4.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.41mm | ||
Výška 9.01mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SUP85N10-10P MOSFET SUP85N10-10-GE3 N-kanálový 85 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHA22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHP22N60EF MOSFET SIHP22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUP40012EL MOSFET SUP40012EL-GE3 N-kanálový 150 A 40 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SUP60020E MOSFET SUP60020E-GE3 N-kanálový 150 A 80 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHA690N60E-GE3 N-kanálový 4.3 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHP125N60EF-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHF30N60E-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení