AEC-Q101 Výkonový MOSFET ZXMP6A18DN8TA Typ P-kanálový 4.8 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 708-2554
- Výrobní číslo:
- ZXMP6A18DN8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
241,57 Kč
(bez DPH)
292,30 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 940 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 48,314 Kč | 241,57 Kč |
| 25 - 120 | 38,434 Kč | 192,17 Kč |
| 125 - 245 | 30,332 Kč | 151,66 Kč |
| 250 + | 29,394 Kč | 146,97 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 708-2554
- Výrobní číslo:
- ZXMP6A18DN8TA
- Výrobce:
- DiodesZetex
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | DiodesZetex | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 4.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 80mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -0.85V | |
| Minimální provozní teplota | 150°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | -55°C | |
| Normy/schválení | RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka DiodesZetex | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 4.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 80mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -0.85V | ||
Minimální provozní teplota 150°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota -55°C | ||
Normy/schválení RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020 | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Dual P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
Tranzistory MOSFET, Diode Inc.
Související odkazy
- AEC-Q101 Výkonový MOSFET Typ P-kanálový 4.8 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový DiodesZetex Vylepšení 2 Izolovaný
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 11.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMPH4015SSSQ-13 Typ P-kanálový 11.4 A 40 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET Typ P-kanálový 160 mA 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 MOSFET DMP65H20D0HSS-13 Typ P-kanálový 160 mA 12 V DiodesZetex počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení