řada: HEXFET MOSFET IRFP4468PBF Typ N-kanálový 290 A 100 V Infineon, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 688-7014
- Výrobní číslo:
- IRFP4468PBF
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
129,43 Kč
(bez DPH)
156,61 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 108 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
- Plus 1 534 jednotka(y) budou odesílané od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 129,43 Kč |
| 10 - 24 | 114,11 Kč |
| 25 - 49 | 106,21 Kč |
| 50 - 99 | 99,79 Kč |
| 100 + | 91,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 688-7014
- Výrobní číslo:
- IRFP4468PBF
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 290A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 520W | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 360nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 20.7mm | |
| Délka | 15.87mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 290A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-247 | ||
Řada HEXFET | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 520W | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 360nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 20.7mm | ||
Délka 15.87mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Řízení motoru a synchronní snižovací tranzistor MOSFET AC-DC, Infineon
Ovládání MOTORU MOSFET
Společnost Infineon nabízí komplexní portfolio robustních zařízení MOSFET typu N-channel a P-channel pro aplikace řízení motorů.
Synchronní usměrňovač MOSFET
Portfolio synchronních zařízení MOSFET pro napájecí zdroje AC-DC podporuje požadavky zákazníků na vyšší hustotu energie, menší velikost, větší přenosnost a flexibilnější systémy.
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 290 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 130 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 180 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 50 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 30 A 200 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 170 A 80 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 200 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 134 A 100 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení