řada: MDmesh, SuperMESHMOSFET STP12NK80Z N-kanálový 10.5 A 800 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 687-5263
- Výrobní číslo:
- STP12NK80Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Momentálně nedostupné
Nevíme, zda bude tato položka opět skladem, RS ji hodlá brzy odstranit z naší nabídky.
- Skladové číslo RS:
- 687-5263
- Výrobní číslo:
- STP12NK80Z
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 10.5 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 800 V | |
| Řada | MDmesh, SuperMESH | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 750 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4.5V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 3V | |
| Maximální ztrátový výkon | 190 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -30 V, +30 V | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 87 nC při 10 V | |
| Délka | 10.4mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Šířka | 4.6mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 9.15mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 10.5 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 800 V | ||
Řada MDmesh, SuperMESH | ||
Typ balení TO-220 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 750 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4.5V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 3V | ||
Maximální ztrátový výkon 190 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -30 V, +30 V | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 87 nC při 10 V | ||
Délka 10.4mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Šířka 4.6mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 9.15mm | ||
Technologie N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700 V až 1200 V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh4 A 520 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: SuperMESH Výkonový MOSFET STP12NK80Z Typ N-kanálový 10.5 A 800 V STMicroelectronics počet kolíků: 3
- řada: MDmesh TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh4 A 600 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: MDmesh TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si