řada: STripFET II MOSFET STB55NF06T4 Typ N-kanálový 50 A 60 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 687-5197
- Výrobní číslo:
- STB55NF06T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
254,90 Kč
(bez DPH)
308,45 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 15 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 2 005 jednotka(y) budou odesílané od 02. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 50,98 Kč | 254,90 Kč |
| 10 + | 48,51 Kč | 242,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 687-5197
- Výrobní číslo:
- STB55NF06T4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 50A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | STripFET II | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 18mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.5V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 44.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 10.4mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 50A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada STripFET II | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 18mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.5V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 44.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 10.4mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 50 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STB55NF06LT4 Typ N-kanálový 55 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 55 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STB30NF10T4 Typ N-kanálový 35 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STB75NF75LT4 Typ N-kanálový 75 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STB120NF10T4 Typ N-kanálový 120 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový
- řada: STripFET II MOSFET STB80NF10T4 Typ N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový