AEC-Q101, řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 60 A 60 V STMicroelectronics, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6855
- Výrobní číslo:
- STB60NF06LT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1000 jednotky/-ek, v kotouči po 1000 ks)*
26 044,00 Kč
(bez DPH)
31 513,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 26,044 Kč | 26 044,00 Kč |
| 2000 - 4000 | 25,723 Kč | 25 723,00 Kč |
| 5000 + | 25,409 Kč | 25 409,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-6855
- Výrobní číslo:
- STB60NF06LT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 60A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | STripFET II | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 14mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -15V, +15V | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 35nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 110W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.4mm | |
| Výška | 4.6mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 60A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada STripFET II | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 14mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -15V, +15V | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 35nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 110W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.4mm | ||
Výška 4.6mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 9.35mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
N-Channel STAFET™ II, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET™ s širokým rozsahem rozkladných napětí nabízejí mimořádně nízké nabití a nízký odpor.
Tranzistory MOSFET, STMicroelectronics
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 50 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET STB55NF06T4 N-kanálový 50 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET Typ N-kanálový 55 A 60 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 75 A 75 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 80 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: STripFET II MOSFET N-kanálový 120 A 100 V STMicroelectronics počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení