řada: NDS7002A MOSFET NDS7002A Typ N-kanálový 280 mA 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 671-1093
- Výrobní číslo:
- NDS7002A
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
37,05 Kč
(bez DPH)
44,83 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 50 jednotka(y) budou odesílané od 17. srpna 2026
- Plus 48 260 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 3,705 Kč | 37,05 Kč |
| 100 - 240 | 3,211 Kč | 32,11 Kč |
| 250 - 490 | 2,791 Kč | 27,91 Kč |
| 500 - 990 | 2,421 Kč | 24,21 Kč |
| 1000 + | 2,198 Kč | 21,98 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-1093
- Výrobní číslo:
- NDS7002A
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 280mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | NDS7002A | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 2Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.2nC | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.88V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 300mW | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 2.92mm | |
| Výška | 0.93mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 280mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada NDS7002A | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 2Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.2nC | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Přímé napětí Vf 0.88V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 300mW | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 2.92mm | ||
Výška 0.93mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor
Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: NDS7002A MOSFET Typ N-kanálový 280 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 2.2 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ N-kanálový 2.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4502PT1G Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení