řada: NDS0605 MOSFET NDS0610 Typ P-kanálový 120 mA 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 671-1074
Výrobní číslo:: NDS0610
Výrobce:: onsemi

řada: NDS0605 MOSFET NDS0610 Typ P-kanálový 120 mA 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*

105,72 Kč

(bez DPH)

127,92 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

1 720 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Plus 31 640 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
20 +	5,286 Kč	105,72 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 671-1074
Výrobní číslo:: NDS0610
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	120mA
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	SOT-23
	Řada	NDS0605
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	10Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	360mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	1.8nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	-1.5V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Výška	0.93mm
	Délka	2.92mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120mA
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení SOT-23
	Řada NDS0605
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 10Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 360mW
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.8nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf -1.5V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Výška 0.93mm
	Délka 2.92mm
	Automobilový standard Ne

Rozšiřující režim, MOSFET P-Channel, ON on Semiconductor

Společnost ON Semiconductors řady P-Channel MOSFETS vyrábí s využitím technologie DMOS (polovlastní technologie), s vysokou hustotou buněk. Tento proces s velmi vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu a poskytoval robustní a spolehlivý výkon pro rychlé přepínání.

Charakteristiky a výhody:

• Malý signální spínač s kanálem P ovládaný napětím

• TCS s vysokou hustotou

• Vysoký sytost proudu

• vynikající přepínání

• Velmi odolný a spolehlivý výkon

• Technologie DMOS

Aplikace:

• Přepínání zatížení

• DC/DC převodník

• Ochrana baterií

• Ovládání řízení spotřeby

• Ovládání motoru stejnosměrným proudem

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.