řada: PowerTrench MOSFET FDT458P Typ P-kanálový 3.4 A 30 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

197,35 Kč

(bez DPH)

238,79 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 3 350 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9019,735 Kč197,35 Kč
100 - 24017,018 Kč170,18 Kč
250 - 49014,721 Kč147,21 Kč
500 - 99012,992 Kč129,92 Kč
1000 +11,831 Kč118,31 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0788
Výrobní číslo:
FDT458P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3.4A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SOT-223

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

130mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

2.5nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

3W

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

1.6mm

Délka

6.5mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.