řada: PowerTrench MOSFET FDT86113LZ Typ N-kanálový 3.3 A 100 V onsemi, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 759-9715
- Výrobní číslo:
- FDT86113LZ
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
215,88 Kč
(bez DPH)
261,215 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 24. srpna 2026
- Plus 1 815 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 43,176 Kč | 215,88 Kč |
| 50 - 95 | 37,148 Kč | 185,74 Kč |
| 100 - 495 | 32,208 Kč | 161,04 Kč |
| 500 - 995 | 28,356 Kč | 141,78 Kč |
| 1000 + | 25,786 Kč | 128,93 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 759-9715
- Výrobní číslo:
- FDT86113LZ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 3.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 189mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.2W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 4.1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.7mm | |
| Výška | 1.7mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 3.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 189mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.2W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 4.1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.3V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.7mm | ||
Výška 1.7mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, až 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 3.3 A 100 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 6.6 A 100 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 5.6 A 100 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 3.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 2.8 A 150 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 3.2 A 100 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDT458P Typ P-kanálový 3.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET FDT1600N10ALZ Typ N-kanálový 5.6 A 100 V onsemi počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení