řada: PowerTrench MOSFET FDS8949 N-kanálový 6 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- Skladové číslo RS:
- 671-0747
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-43-728
- Výrobní číslo:
- FDS8949
- Výrobce:
- onsemi
Mezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
158,82 Kč
(bez DPH)
192,17 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
- 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 3 120 jednotka(y) budou odesílané od 06. října 2026
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 31,764 Kč | 158,82 Kč |
| 50 - 95 | 27,466 Kč | 137,33 Kč |
| 100 - 495 | 23,762 Kč | 118,81 Kč |
| 500 - 995 | 20,798 Kč | 103,99 Kč |
| 1000 + | 19,02 Kč | 95,10 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0747
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-43-728
- Výrobní číslo:
- FDS8949
- Výrobce:
- onsemi
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 29mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.7nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 4mm | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 29mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.7nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20, +20V | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 4mm | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Automobilový duální tranzistor MOSFET N-Channel, společnost Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 6 A 40 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 6 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 4.7 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 3.5 A 60 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 4.5 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET N-kanálový 3.5 A 100 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET FDS3890 N-kanálový 4.7 A 80 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET FDS6912A N-kanálový 6 A 30 V počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
