řada: PowerTrench MOSFET FDS8858CZ Typ N, Typ P-kanálový 8.6 A 30 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 671-0719
- Výrobní číslo:
- FDS8858CZ
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (5 jednotky/-ek, v balení po 5 ks)*
130,62 Kč
(bez DPH)
158,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 35 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 1 790 jednotka(y) budou odesílané od 06. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 26,124 Kč | 130,62 Kč |
| 50 - 95 | 22,518 Kč | 112,59 Kč |
| 100 - 495 | 19,514 Kč | 97,57 Kč |
| 500 - 995 | 17,164 Kč | 85,82 Kč |
| 1000 + | 15,622 Kč | 78,11 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0719
- Výrobní číslo:
- FDS8858CZ
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 8.6A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 21mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.6W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -25, -20, +20, +25V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 0.8V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 17nC | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 5mm | |
| Výška | 1.5mm | |
| Šířka | 4mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 8.6A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 21mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.6W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -25, -20, +20, +25V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 0.8V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 17nC | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 5mm | ||
Výška 1.5mm | ||
Šířka 4mm | ||
Normy/schválení No | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET Typ N SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2 Izolovaný
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 8.2 A 40 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 8 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 11 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 8.8 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 11 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 20 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení