MPN

řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 12.5 A 30 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 671-0605P
Výrobní číslo:: FDS6680A
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET Typ N-kanálový 12.5 A 30 V onsemi, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*

652,10 Kč

(bez DPH)

789,05 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Nedostatečné zásobování

1 845 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.

Ks	za jednotku
25 - 95	26,084 Kč
100 - 245	17,192 Kč
250 - 495	16,204 Kč
500 +	15,512 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 671-0605P
Výrobní číslo:: FDS6680A
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ N
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	12.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SOIC
	Řada	PowerTrench
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	10mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	2.5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	16nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	0.7V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.5mm
	Normy/schválení	No
	Délka	5mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ N
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 12.5A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SOIC
	Řada PowerTrench
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 10mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 2.5W
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf 0.7V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.5mm
	Normy/schválení No
	Délka 5mm
	Automobilový standard Ne

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10 A až 19,9A, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.