řada: PowerTrench MOSFET FDS4897C Typ N, Typ P-kanálový 6.2 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

163,27 Kč

(bez DPH)

197,555 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Poslední zásoby RS
  • 70 zbývá, připraveno k odeslání
  • Plus 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4532,654 Kč163,27 Kč
50 - 9528,158 Kč140,79 Kč
100 - 49524,404 Kč122,02 Kč
500 - 99521,44 Kč107,20 Kč
1000 +19,514 Kč97,57 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0539
Výrobní číslo:
FDS4897C
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N, Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

6.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

40V

Typ balení

SOIC

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

63mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Přímé napětí Vf

0.7V

Maximální ztrátový výkon Pd

2W

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

20nC

Konfigurace tranzistoru

Izolovaný

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

4mm

Výška

1.5mm

Normy/schválení

RoHS Compliant

Délka

5mm

Počet prvků na čip

2

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


PowerTrench® MOSFET jsou optimalizované napájecí spínače, které nabízejí vyšší účinnost systému a vyšší hustotu výkonu. Kombinují malý náboj hradla (Qg), malý náboj zpětného zotavení (Qrr) a měkkou diodu těla zpětného zotavení, která přispívá k rychlému spínání synchronního usměrňování v napájecích zdrojích AC/DC.

Nejnovější PowerTrench® MOSFET využívají stíněnou hradlovou strukturu, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Díky využití této pokročilé technologie je hodnota FOM (Figure of Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.

Výkon diod měkkého těla PowerTrench® MOSFET je schopen eliminovat špinavé obvody nebo nahradit MOSFET s vyšším jmenovitým napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


><

Polovodičové MOSFETy ON zajišťují vynikající konstrukční spolehlivost od snížení špiček napětí a přepětí až po snížení spojovací kapacity a zpětného obnovovacího náboje až po eliminaci dodatečných externích součástí pro udržení systémů v provozu a delší dobu.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.