řada: PowerTrench MOSFET FDS4897C Typ N, Typ P-kanálový 6.2 A 40 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi Vylepšení 2
- Skladové číslo RS:
- 671-0539
- Výrobní číslo:
- FDS4897C
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
163,27 Kč
(bez DPH)
197,555 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- 70 zbývá, připraveno k odeslání
- Plus 5 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 32,654 Kč | 163,27 Kč |
| 50 - 95 | 28,158 Kč | 140,79 Kč |
| 100 - 495 | 24,404 Kč | 122,02 Kč |
| 500 - 995 | 21,44 Kč | 107,20 Kč |
| 1000 + | 19,514 Kč | 97,57 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 671-0539
- Výrobní číslo:
- FDS4897C
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | Typ N, Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | PowerTrench | |
| Typ balení | SOIC | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 63mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2W | |
| Přímé napětí Vf | 0.7V | |
| Konfigurace tranzistoru | Izolovaný | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 4mm | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Výška | 1.5mm | |
| Délka | 5mm | |
| Počet prvků na čip | 2 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu Typ N, Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada PowerTrench | ||
Typ balení SOIC | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 63mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2W | ||
Přímé napětí Vf 0.7V | ||
Konfigurace tranzistoru Izolovaný | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 4mm | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Výška 1.5mm | ||
Délka 5mm | ||
Počet prvků na čip 2 | ||
Automobilový standard Ne | ||
PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor
Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.
Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je modul FOM (obrázek o Merit) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozí generace.
Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat šňupací obvod nebo nahradit tranzistor MOSFET s vyšším napětím.
Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi
U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.
U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.
Související odkazy
- řada: PowerTrench MOSFET FDS4897C Typ N Typ P SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový onsemi
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 20 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 8 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 13 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 5.3 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 3.5 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 11 A 30 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: PowerTrench MOSFET Typ P-kanálový 10 A 20 V onsemi počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení