řada: PowerTrench MOSFET FDN352AP Typ P-kanálový 1.3 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 671-0447
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-33-641
Výrobní číslo:: FDN352AP
Výrobce:: onsemi

řada: PowerTrench MOSFET FDN352AP Typ P-kanálový 1.3 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

72,32 Kč

(bez DPH)

87,51 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

23 890 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
10 +	7,232 Kč	72,32 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 671-0447
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-33-641
Výrobní číslo:: FDN352AP
Výrobce:: onsemi

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	onsemi
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Řada	PowerTrench
	Typ balení	SOT-23
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	180mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	1.4nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	500mW
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	2.92mm
	Výška	0.94mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka onsemi
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Řada PowerTrench
	Typ balení SOT-23
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 180mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.4nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 500mW
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 2.92mm
	Výška 0.94mm
	Automobilový standard Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

řada: PowerTrench MOSFET FDN352AP Typ P-kanálový 1.3 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS