řada: FDN337N MOSFET FDN337N N-kanálový 2.2 A 30 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (10 jednotky/-ek, v balení po 10 ks)*

114,61 Kč

(bez DPH)

138,68 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 140 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 400 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 9 240 jednotka(y) budou odesílané od 15. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 9011,461 Kč114,61 Kč
100 - 2409,905 Kč99,05 Kč
250 - 4908,571 Kč85,71 Kč
500 - 9907,534 Kč75,34 Kč
1000 +6,867 Kč68,67 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0429
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-43-435
Výrobní číslo:
FDN337N
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

2.2A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Řada

FDN337N

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

65mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

500mW

Přímé napětí Vf

1.2V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-8V, +8V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

7nC

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

1.4mm

Délka

2.92mm

Výška

940μm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.