MOSFET NTR5198NLT1G N-kanálový 2.2 A 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 796-1381
- Výrobní číslo:
- NTR5198NLT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 25 kusech)*
130,425 Kč
(bez DPH)
157,825 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 750 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 08. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | 5,217 Kč | 130,43 Kč |
| 100 - 225 | 4,496 Kč | 112,40 Kč |
| 250 - 475 | 3,903 Kč | 97,58 Kč |
| 500 - 975 | 3,428 Kč | 85,70 Kč |
| 1000 + | 3,122 Kč | 78,05 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 796-1381
- Výrobní číslo:
- NTR5198NLT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 2.2A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 155mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 5.1nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 900mW | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Výška | 1.01mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 3.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 2.2A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 155mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.1nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 900mW | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.4mm | ||
Výška 1.01mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 3.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- MOSFET N-kanálový 2.2 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDN337N MOSFET N-kanálový 2.2 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: FDN337N MOSFET FDN337N N-kanálový 2.2 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 2.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4170NT1G N-kanálový 2.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 2.4 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení