řada: PowerTrench MOSFET FDC5614P Typ P-kanálový 3 A 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

91,88 Kč

(bez DPH)

111,175 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 20 265 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4518,376 Kč91,88 Kč
50 - 9515,808 Kč79,04 Kč
100 - 49513,734 Kč68,67 Kč
500 - 99512,104 Kč60,52 Kč
1000 +10,966 Kč54,83 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0346
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-33-640
Výrobní číslo:
FDC5614P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Typ balení

SOT-23

Řada

PowerTrench

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

105mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.6W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

15nC

Přímé napětí Vf

-1.2V

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1mm

Délka

3mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy