řada: PowerTrench MOSFET FDC5614P Typ P-kanálový 3 A 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

98,80 Kč

(bez DPH)

119,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 20 255 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4519,76 Kč98,80 Kč
50 - 9516,994 Kč84,97 Kč
100 - 49514,77 Kč73,85 Kč
500 - 99512,992 Kč64,96 Kč
1000 +11,806 Kč59,03 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0346
Číslo zboží společnosti Distrelec:
304-33-640
Výrobní číslo:
FDC5614P
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ P

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

3A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

PowerTrench

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

6

Maximální odpor zdroje Rds

105mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

-1.2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

15nC

Maximální ztrátový výkon Pd

1.6W

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Výška

1mm

Délka

3mm

Automobilový standard

Ne

PowerTrench® P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor


Tranzistory MOSFET PowerTrench® jsou optimalizovanými napájecími přepínači, které nabízejí zvýšení efektivity systému a hustoty napájení. Kombinují malé nabití zadní výklopné stěny (QG), malé zatížení pro zpětné získávání (Qrr) a měkkou diodou pro zpětné získávání dat, která přispívá k rychlému přepínání synchronizované korekce napájení střídavým/stejnosměrným proudem.

Nejnovější tranzistory MOSFET PowerTrench® využívají strukturu stíněných hradel, která zajišťuje rovnováhu nabíjení. Využitím této Advanced technologie je FOM (obrázek o Meritu) těchto zařízení výrazně nižší než u předchozích generací.

Výkon diody z měkkého těla MOSFET PowerTrench® dokáže eliminovat obvody šňupavého modulu nebo nahradit tranzistory MOSFET s vyšším napětím.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.