AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100, řada: BSS138 MOSFET BSS138 N-kanálový 220 mA 50 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (10 jednotky/-ek, v balení po 10 ks)*

37,30 Kč

(bez DPH)

45,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Nedostatečné zásobování
  • 1 180 zbývá, připraveno k odeslání
  • Plus 1 820 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.

Ks
za jednotku
za balení*
10 - 903,73 Kč37,30 Kč
100 - 2403,211 Kč32,11 Kč
250 - 4902,791 Kč27,91 Kč
500 - 9902,421 Kč24,21 Kč
1000 +2,223 Kč22,23 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
671-0324
Výrobní číslo:
BSS138
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

220mA

Maximální napětí na zdroji Vds

50V

Typ balení

SOT-23

Řada

BSS138

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

3.5Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

1.7nC

Maximální ztrátový výkon Pd

360mW

Přímé napětí Vf

800mV

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-20V, +20V

Maximální provozní teplota

150°C

Šířka

1.3mm

Normy/schválení

No

Délka

2.92mm

Výška

930μm

Automobilový standard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.