AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101, řada: 2N7002 MOSFET Typ N-kanálový 115 mA 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový

Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*

8 061,00 Kč

(bez DPH)

9 753,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
  • Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 10. června 2026
  • Plus 3 000 jednotka(y) budou odesílané od 12. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za cívku*
3000 - 60002,687 Kč8 061,00 Kč
9000 - 120002,614 Kč7 842,00 Kč
15000 - 270002,545 Kč7 635,00 Kč
30000 - 570002,48 Kč7 440,00 Kč
60000 +2,418 Kč7 254,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
124-1692
Výrobní číslo:
2N7002
Výrobce:
onsemi
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

onsemi

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

115mA

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

2N7002

Typ balení

SOT-23

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

7.5Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.2V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

223nC

Maximální ztrátový výkon Pd

200mW

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

No

Délka

2.92mm

Výška

0.93mm

Automobilový standard

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Rozšiřující režim MOSFET N-Channel, Fairchild Semiconductor


Zdokonalené režimy tranzistory FET (Field Effect Transistory) jsou vyráběny s využitím patentované technologie Fairchild s vysokou hustotou buněk DMOS. Tento proces s vysokou hustotou byl navržen tak, aby minimalizoval odolnost proti stavu, poskytoval robustní a spolehlivý výkon a rychlé přepínání.

Tranzistory MOSFET, ZAPNUTO Semi


U Semi nabízí podstatné portfolio zařízení MOSFET, která obsahují typy s vysokým napětím (>250 V)< a nízkým napětím (250 V). Advanced Silicon Technology poskytuje menší velikosti průvlaků, které jsou integrovány do více standardních a tepelně vylepšených balení.

U Semi MOSFET nabízí vynikající spolehlivost designu od napěťových špiček a přestřelení, po nižší kapacitu svorkovnice a zpětný náboj obnovení, až po eliminaci dalších externích komponent, které udrží systémy v chodu a v chodu déle.

Související odkazy