řada: MMBF170L MOSFET MMBF170LT1G N-kanálový 500 mA 60 V onsemi, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 545-0321
- Výrobní číslo:
- MMBF170LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
40,01 Kč
(bez DPH)
48,41 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Nedostatečné zásobování
- Plus 640 jednotka(y) budou odesílané od 05. listopadu 2026
- Plus 10 690 jednotka(y) budou odesílané od 11. listopadu 2026
Naše současné skladové zásoby jsou omezené a naši dodavatelé očekávají nedostatek.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 4,001 Kč | 40,01 Kč |
| 100 - 240 | 3,433 Kč | 34,33 Kč |
| 250 - 490 | 2,989 Kč | 29,89 Kč |
| 500 - 990 | 2,618 Kč | 26,18 Kč |
| 1000 + | 2,396 Kč | 23,96 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 545-0321
- Výrobní číslo:
- MMBF170LT1G
- Výrobce:
- onsemi
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | onsemi | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 500mA | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Řada | MMBF170L | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 5Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 225mW | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 160nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.3mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 2.9mm | |
| Výška | 940μm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka onsemi | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 500mA | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Řada MMBF170L | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 5Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 225mW | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 160nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.3mm | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 2.9mm | ||
Výška 940μm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-kanálový výkonový MOSFET, 60 V, ON on Semiconductor
Tranzistory MOSFET, on Semiconductor
Související odkazy
- řada: MMBF170L MOSFET N-kanálový 500 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: MMBF170L MOSFET MMBF170 N-kanálový 500 mA 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 2.2 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET N-kanálový 2.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR5198NLT1G N-kanálový 2.2 A 60 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTR4170NT1G N-kanálový 2.4 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1 A 20 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 30 V onsemi počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení