řada: MASTERG MOSFET MASTERGAN4LTR Typ P, Typ N-kanálový 6.5 A 650 V STMicroelectronics, QFN-9, počet kolíků: 31
- Skladové číslo RS:
- 287-7043P
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN4LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 25 jednotky/-ek (dodává se na souvislé pásce)*
6 371,00 Kč
(bez DPH)
7 709,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 300 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 25 - 49 | 254,84 Kč |
| 50 - 99 | 229,08 Kč |
| 100 - 249 | 206,42 Kč |
| 250 + | 181,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 287-7043P
- Výrobní číslo:
- MASTERGAN4LTR
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ kanálu | Typ P, Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 6.5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | QFN-9 | |
| Řada | MASTERG | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 31 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 300mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 40mW | |
| Minimální provozní teplota | -40°C | |
| Maximální provozní teplota | 125°C | |
| Výška | 1mm | |
| Normy/schválení | RoHS, ECOPACK | |
| Délka | 9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ kanálu Typ P, Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 6.5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení QFN-9 | ||
Řada MASTERG | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 31 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 40mW | ||
Minimální provozní teplota -40°C | ||
Maximální provozní teplota 125°C | ||
Výška 1mm | ||
Normy/schválení RoHS, ECOPACK | ||
Délka 9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TH
Mikrokontrolér STMicroelectronics je pokročilý napájecí systém v balení, který integruje ovladač hradla a dva tranzistory GaN s vylepšeným režimem v polomůstkovém uspořádání. Integrované výkonové GaN mají RDS(ON) 225 mΩ, blokovací napětí drain-source 650 V, zatímco vysokou stranu vestavěného ovladače hradla lze snadno napájet integrovanou zaváděcí diodou.
Nulová ztráta při zpětném zotavení
Ochrana UVLO na VCC
Interní bootstrap dioda
Funkce blokování