řada: SISS MOSFET SISS5112DN-T1-GE3 N-kanálový 40.7 A 100 V Vishay, 1212-8S, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9996
- Výrobní číslo:
- SISS5112DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
270,22 Kč
(bez DPH)
326,965 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 6 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 54,044 Kč | 270,22 Kč |
| 50 - 95 | 45,992 Kč | 229,96 Kč |
| 100 - 245 | 40,854 Kč | 204,27 Kč |
| 250 - 995 | 40,014 Kč | 200,07 Kč |
| 1000 + | 39,124 Kč | 195,62 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9996
- Výrobní číslo:
- SISS5112DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | SISS | |
| Typ balení | 1212-8S | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0149Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 52W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 3.3mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada SISS | ||
Typ balení 1212-8S | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0149Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 52W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 3.3mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SISS MOSFET Typ N-kanálový 40.7 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5808DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 66.6 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS4409DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 59.2 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5710DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 26.2 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISS MOSFET SISS4402DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 128 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5110DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5108DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET Typ N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení