řada: SISS MOSFET SISS5110DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay, 1212-8S, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9994
- Výrobní číslo:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Obrázek slouží pouze k názornému zobrazení dané kategorie produktů
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 4 kusech)*
177,84 Kč
(bez DPH)
215,20 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 6 000 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 4 - 56 | 44,46 Kč | 177,84 Kč |
| 60 - 96 | 33,345 Kč | 133,38 Kč |
| 100 - 236 | 29,64 Kč | 118,56 Kč |
| 240 - 996 | 28,96 Kč | 115,84 Kč |
| 1000 + | 28,283 Kč | 113,13 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9994
- Výrobní číslo:
- SISS5110DN-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 55.9A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | 1212-8S | |
| Řada | SISS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.0126Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 56.8W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 3.3mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 55.9A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení 1212-8S | ||
Řada SISS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.0126Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 56.8W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 3.3mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SISS MOSFET Typ N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5108DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 55.9 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5710DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 26.2 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SISS MOSFET SISS4409DN-T1-GE3 Typ P-kanálový 59.2 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5808DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 66.6 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS5112DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 40.7 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET SISS4402DN-T1-GE3 Typ N-kanálový 128 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SISS MOSFET Typ N-kanálový 40.7 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení