řada: E Výkonový MOSFET SIHR080N60E-T1-GE3 N-kanálový 51 A 600 V Vishay, 8x8LR, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9929
- Výrobní číslo:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
163,51 Kč
(bez DPH)
197,85 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 964 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 49 | 163,51 Kč |
| 50 - 99 | 123,01 Kč |
| 100 - 249 | 108,68 Kč |
| 250 - 999 | 106,70 Kč |
| 1000 + | 104,73 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9929
- Výrobní číslo:
- SIHR080N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 51A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | E | |
| Typ balení | 8x8LR | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.084Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 500W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 51A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada E | ||
Typ balení 8x8LR | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.084Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 500W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay řady E, maximální zdrojové napětí vypouštění 600 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 51 A – SIHR080N60E-T1-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení N-kanálu navržené pro náročné role při převodu výkonu a přepínání v aplikacích pro povrchovou montáž. Nabízí kombinaci vysokého blokovacího napětí, značné schopnosti stejnosměrného proudu a jmenovitého napětí hradla vhodného pro běžné pohony obvodů, díky čemuž je vhodný pro systémy, které vyžadují kompaktní spínání s vysokým výkonem v omezených uspořádáních.
Charakteristiky a výhody:
• Blokovací schopnost 600 V umožňuje použití vysokonapěťových systémů
• Stálý proud 51 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Rds(on) 0.084 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 500 W umožňuje udržitelnou manipulaci s vysokým výkonem
• Typické náboje hradla 63 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Jmenovitá hodnota hradla 30 V chrání před nadměrným napětím pohonu hradla
• Stálý proud 51 A podporuje manipulaci s velkou zátěží
• Rds(on) 0.084 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu
• Rozptýlení výkonu 500 W umožňuje udržitelnou manipulaci s vysokým výkonem
• Typické náboje hradla 63 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Jmenovitá hodnota hradla 30 V chrání před nadměrným napětím pohonu hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje
• Ideální pro přední konce průmyslových motorových pohonů
• Používá se se stupněmi měničů pro obnovitelné zdroje
• Lze použít pro obvody pro korekci účiníku
• Vhodné pro svařování středního výkonu a indukční ohřev
• Ideální pro přední konce průmyslových motorových pohonů
• Používá se se stupněmi měničů pro obnovitelné zdroje
• Lze použít pro obvody pro korekci účiníku
• Vhodné pro svařování středního výkonu a indukční ohřev
Jaký teplotní rozsah může tolerovat v náročných prostředích?
Pracuje v teplotách -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v širokém rozsahu tepelných podmínek bez omezení pro středně vysoké teploty.
Jak pouzdro podporuje kompaktní konstrukce desek plošných spojů?
8kolíková plocha pro povrchovou montáž 8x8LR umožňuje hustoté umístění desky a zároveň zajišťuje adekvátní tepelné a elektrické připojení.
Jaké je napětí při vedení a jeho dopad?
Typické propustné napětí je 1,2 V, což ovlivňuje pokles napětí v zapnutém stavu a je nutné vzít v úvahu při výpočtu teploty a účinnosti.
Je toto zařízení vhodné pro požadavky na automobilové specifikace?
Není specifikováno jako třída pro automobilový průmysl, takže by se nemělo předpokládat, že je v souladu s normami pro automobilový průmysl pro elektroniku vozidel.
Související odkazy
- řada: E Výkonový MOSFET SIHR080N60E-T1-GE3 N-kanálový 51 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHM080N60E-T1-GE3 N-kanálový 51 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET N-kanálový 51 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHR120N60E-T1-GE3 N-kanálový 32 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHR100N60E-T1-GE3 N-kanálový 38 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHD11N80AE-T1-GE3 N-kanálový 8 A 850 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Výkonový MOSFET SIHB120N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení