řada: SIHK MOSFET SIHK155N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9919
- Výrobní číslo:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 2000 kusech)*
124 560,00 Kč
(bez DPH)
150 720,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 2000 + | 62,28 Kč | 124 560,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9919
- Výrobní číslo:
- SIHK155N60E-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 19A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Řada | SIHK | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.158Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 36nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 156W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 9.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Řada SIHK | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.158Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 36nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 156W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 9.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay SIHK, napětí zdroje vypouštění 600 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A – SIHK155N60E-T1-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový spínací N-kanálový tranzistor s režimem zesílení navržený pro aplikace pro převod napájení a řízení pro povrchovou montáž. Je vhodný pro obvody vyžadující robustní blokování odvodu ke zdroji při zvýšeném napětí při provozu v širokém teplotním rozsahu.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota odtoku-zdroje 600 V umožňuje vysokonapěťové návrhy • Nepřetržitý vypouštěcí proud 19 A podporuje značné zátěžové proudy • Rds(on) 0,158 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu • Typické náboje hradla 36 nC pro předvídatelný výkon spínání • Rozptýlení výkonu 156 W umožňuje trvalou manipulaci s teplem • maximální provozní teplota 150 °C toleruje zvýšené tepelné namáhání
Aplikace
• Vhodné pro offline primární spínače SMPS v napájecích zdrojích • Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu • Používá se pro vysokonapěťové měniče DC/DC v automatizačních systémech • Lze použít pro přepínání výstupního stupně měniče v elektrických pohonech • Používá se pro spínané zátěže v mechanických řídicích zařízeních
Jaké balení je třeba vzít v úvahu při umisťování desky?
Zařízení je dodáváno v 8kolíkovém pouzdru pro povrchovou montáž PowerPAK10x12, který vyžaduje půdorys kompatibilní s touto tepelnou podložkou a uspořádáním vodičů.
Jaký rozsah napětí hradla je bezpečný pro řídicí obvody?
Maximální přípustné napětí mezi bránou a zdrojem je 30 V, takže obvody budiče by měly udržovat výkyvy brány v rámci tohoto limitu.
Jak se chová tepelně při zátěži?
Může rozptýlit až 156 W
tepelné řízení musí zajistit, aby teplota spojení s okolím zůstala v mezích pro spolehlivý provoz až do jmenovité teploty 150 °C.
Existují environmentální nebo regulační konstrukční úvahy?
Je v souladu s RoHS, což umožňuje použití v konstrukcích, které omezují nebezpečné látky.
Jaká spínací charakteristika ovlivňuje výběr ovladače?
Typické náboje hradla je 36 nC při jmenovitém napětí hradla, což určuje požadovaný hnací proud a kompromisy spínací rychlosti.
Související odkazy
- řada: SIHK MOSFET SIHK155N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60E-T1-GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH150N60E-T1-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI7120BDN-T1-GE3 N-kanálový 14 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIA4620DJ-T1-GE3 N-kanálový 9 A 60 V Vishay počet kolíků: 6 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SIHH26N60E-T1-GE3 N-kanálový 25 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SISS5708DN-T1-GE3 N-kanálový 33.8 A 150 V počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiSS26LDN MOSFET SISS26LDN-T1-GE3 N-kanálový 81.2 A 60 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
