řada: EF MOSFET SIHF085N60EF-GE3 N-kanálový 13 A 600 V Vishay, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9909
- Výrobní číslo:
- SIHF085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
151,66 Kč
(bez DPH)
183,51 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 1 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 9 | 151,66 Kč |
| 10 - 24 | 149,19 Kč |
| 25 - 99 | 145,73 Kč |
| 100 + | 136,59 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9909
- Výrobní číslo:
- SIHF085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 600V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | EF | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.084Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 35W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 10.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 600V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada EF | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.084Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 35W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 10.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET řady Vishay EF, maximální zdrojové napětí vypouštění 600 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHF085N60EF-GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťové vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro napájecí spínací a řídicí stupně v sestavách s průchozím otvorem. Je navržen tak, aby zvládl zvýšená napětí odvod-zdroj při provozu v širokém teplotním rozsahu, díky čemuž je vhodný pro náročné elektronické systémy, které vyžadují robustní spínání a tepelnou odolnost.
Charakteristiky a výhody:
• Kapacita vypouštění 600 V umožňující vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A pro trvalé napájení
• Nízký odpor při zapnutí 0,084 Ω snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 35 W podporuje mírné tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 63 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Jmenovitá hodnota Vgs ±30 V pro robustní tolerance ovladače hradla
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A pro trvalé napájení
• Nízký odpor při zapnutí 0,084 Ω snižuje ztráty při vedení
• Rozptýlení výkonu 35 W podporuje mírné tepelné zatížení
• Typický náboj hradla 63 nC umožňuje předvídatelné spínací chování
• Jmenovitá hodnota Vgs ±30 V pro robustní tolerance ovladače hradla
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové výkonové měniče a měniče
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s napájecími zdroji vyžadujícími montáž do průchozího otvoru
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje v průmyslových zařízeních
• Vhodné pro prototypy a opravy starších napájecích systémů
• Ideální pro spínací stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s napájecími zdroji vyžadujícími montáž do průchozího otvoru
• Lze použít pro spínané napájecí zdroje v průmyslových zařízeních
• Vhodné pro prototypy a opravy starších napájecích systémů
Jaký typ montáže vyžaduje a jak to ovlivňuje tepelnou manipulaci?
Používá pouzdro s průchozím otvorem TO-220, které umožňuje šroubování k chladiču pro lepší rozptyl tepla a snadnou montáž PCB.
Jaké úvahy o pohonu hradla jsou nutné pro efektivní spínání?
Navrhujte ovladač tak, aby poskytoval dostatečný náboj pro typický náboj hradla 63 nC, abyste dosáhli požadovaných časů náběhu/poklesu a zároveň se vyhnuli nadměrnému namáhání hradla blízko limitu ±30 V.
Jak se zařízení chová při extrémních teplotách?
Je určen pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v prostředích s významnými tepelnými rozdíly při zachování elektrických vlastností.
Jaká je charakteristika přímého vedení relevantní pro vedení diody?
Specifikace propustného napětí je 1,2 V, což informuje výpočty ztrát, když dojde k vodivosti tělesné diody během spínání nebo závěrného proudu.
Související odkazy
- řada: EF MOSFET SIHF085N60EF-GE3 N-kanálový 13 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHA22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SiHA186N60EF-GE3 N-kanálový 8.4 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHF068N60EF-GE3 N-kanálový 16 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHP125N60EF-GE3 N-kanálový 25 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHP22N60EF MOSFET SIHP22N60EF-GE3 N-kanálový 19 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E MOSFET SiHF30N60E-GE3 N-kanálový 29 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SiHP052N60EF MOSFET SIHP052N60EF-GE3 N-kanálový 48 A 600 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení