řada: SI MOSFET SI2392BDS-T1-GE3 Typ N-kanálový 1.8 A 100 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9892
- Výrobní číslo:
- SI2392BDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 naviják po 3000 kusech)*
14 493,00 Kč
(bez DPH)
17 538,00 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 27. července 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za cívku* |
|---|---|---|
| 3000 + | 4,831 Kč | 14 493,00 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9892
- Výrobní číslo:
- SI2392BDS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Řada | SI | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.149Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.1W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Řada SI | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.149Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.1W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SI MOSFET SI2392BDS-T1-GE3 Typ N-kanálový 1.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2319CDS MOSFET SI2319CDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 4.4 A 40 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2333DDS MOSFET SI2333DDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 12 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2318CDS MOSFET SI2318CDS-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.6 A 40 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2323DDS MOSFET SI2323DDS-T1-GE3 Typ P-kanálový 4.3 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2399DS-T1-GE3 Typ P-kanálový 6 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2374DS MOSFET SI2374DS-T1-GE3 Typ N-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2304DDS MOSFET SI2304DDS-T1-GE3 Typ N-kanálový 3.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení