MOSFET SI2366DS-T1-GE3 N-kanálový 5,8 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 812-3132
- Výrobní číslo:
- SI2366DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 20 kusech)*
179,60 Kč
(bez DPH)
217,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Skladem
- 140 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 2 920 jednotka(y) budou odesílané od 06. srpna 2025
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
---|---|---|
20 + | 8,98 Kč | 179,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 812-3132
- Výrobní číslo:
- SI2366DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
---|---|---|
Značka | Vishay | |
Typ kanálu | N | |
Maximální stejnosměrný odběrový proud | 5,8 A | |
Maximální napětí kolektor/zdroj | 30 V | |
Typ balení | SOT-23 | |
Typ montáže | Povrchová montáž | |
Počet kolíků | 3 | |
Maximální odpor kolektor/zdroj | 42 mΩ | |
Režim kanálu | Vylepšení | |
Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 1.2V | |
Maximální ztrátový výkon | 2,1 W | |
Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
Délka | 3.04mm | |
Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
Materiál tranzistoru | Si | |
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 6,4 nC při 10 V | |
Šířka | 1.4mm | |
Počet prvků na čip | 1 | |
Minimální provozní teplota | -55 °C | |
Výška | 1.02mm | |
Vybrat vše | ||
---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 5,8 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 42 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon 2,1 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Délka 3.04mm | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 6,4 nC při 10 V | ||
Šířka 1.4mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 1.02mm | ||
Související odkazy
- MOSFET SI2366DS-T1-GE3 N-kanálový 5 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET SI2343CDS-T1-GE3 P-kanálový 4 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET SI2337DS-T1-GE3 P-kanálový 1 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET SI2374DS-T1-GE3 N-kanálový 5 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý
- MOSFET SI2367DS-T1-GE3 P-kanálový 2 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET SI2303CDS-T1-GE3 P-kanálový 1.9 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET SI2309CDS-T1-GE3 P-kanálový 1.2 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET SI2319CDS-T1-GE3 P-kanálový 4 SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si