řada: Si2366DS MOSFET SI2366DS-T1-GE3 N-kanálový 5.8 A 30 V Vishay, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 165-6910
- Výrobní číslo:
- SI2366DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
- Skladové číslo RS:
- 165-6910
- Výrobní číslo:
- SI2366DS-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5.8A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SOT-23 | |
| Řada | Si2366DS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 42mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 2.1W | |
| Přímé napětí Vf | 850mV | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Šířka | 1.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 1.02mm | |
| Délka | 3.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5.8A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SOT-23 | ||
Řada Si2366DS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 42mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 2.1W | ||
Přímé napětí Vf 850mV | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Šířka 1.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 1.02mm | ||
Délka 3.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
MOSFET řady Vishay Si2366DS, maximální zdrojové napětí vypouštění 30 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 5,8 A – SI2366DS-T1-GE3
Tento MOSFET je kompaktní vylepšovací zařízení s N-kanálem určené pro spínání pro povrchovou montáž v nízkonapěťových elektronických obvodech. Pracuje v širokém rozsahu teplot a je vhodný pro role řízení napájení, kde je vyžadováno efektivní vedení a mírné spínání. Pouzdro je běžný tvarový faktor SOT-23 pro použití v hustě obsazených sestavách.
Charakteristiky a výhody:
• Maximální vypouštěcí napětí 30 V umožňuje nízkonapěťové spínání napájení
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 5,8 A pro udržitelnou manipulaci s proudem
• Nízké hodnoty Rds(on) 42 mΩ snižují ztráty při vedení
• Proudové napětí 0,85 V podporuje efektivní podmínky pohonu
• Typický náboj hradla 6.4 nC umožňuje řízenou spínací energii
• Rozptýlení výkonu 2.1 W pro aplikace s tepelným omezením
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 5,8 A pro udržitelnou manipulaci s proudem
• Nízké hodnoty Rds(on) 42 mΩ snižují ztráty při vedení
• Proudové napětí 0,85 V podporuje efektivní podmínky pohonu
• Typický náboj hradla 6.4 nC umožňuje řízenou spínací energii
• Rozptýlení výkonu 2.1 W pro aplikace s tepelným omezením
Aplikace
• Vhodné pro rozvod napájení a přepínání zátěže přes USB
• Ideální pro použití ve výstupním stupni měniče DC/DC
• Používá se s obvody pro správu baterií a nabíjení
• Lze použít pro spínání motoru a budiče na nízké straně
• Užitečné pro ochranu napájecích lišt spotřební elektroniky
• Ideální pro použití ve výstupním stupni měniče DC/DC
• Používá se s obvody pro správu baterií a nabíjení
• Lze použít pro spínání motoru a budiče na nízké straně
• Užitečné pro ochranu napájecích lišt spotřební elektroniky
Jaké balení mám očekávat pro automatizovanou montáž?
Dodává se v pouzdru pro povrchovou montáž SOT-23 kompatibilním se standardními procesy pick-and-place a reflow.
Jak dobře snáší náročné tepelné prostředí?
Určený pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, pojme široký rozsah okolních a zvýšených teplot spojů.
Jaká amplituda pohonu hradla je povolena?
Zařízení přijímá až ±20 V mezi hradlem a zdrojem, což umožňuje široký rozsah budicího napětí v rámci tohoto limitu.
Kolik kolíků je k dispozici pro směrování půdorysu PCB?
Používá tříkolíkovou konfiguraci typickou pro malosignálové tranzistory MOSFET, což zjednodušuje uspořádání a směrování.
Související odkazy
- řada: Si2366DS MOSFET SI2366DS-T1-GE3 N-kanálový 5.8 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI2392BDS-T1-GE3 N-kanálový 1.8 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI2328DS-T1-GE3 N-kanálový 1.15 A 100 V počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení Jednoduchý
- řada: TrenchFET MOSFET SI2392ADS-T1-GE3 N-kanálový 3.1 A 100 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI2300DS-T1-GE3 N-kanálový 3.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2304DDS MOSFET SI2304DDS-T1-GE3 N-kanálový 3.6 A 30 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2374DS MOSFET SI2374DS-T1-GE3 N-kanálový 5.9 A 20 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: Si2318CDS MOSFET SI2318CDS-T1-GE3 N-kanálový 5.6 A 40 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
