AEC-Q101, řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 160 A 75 V, DirectFET Infineon
- Skladové číslo RS:
- 273-5220
- Výrobní číslo:
- AUIRF7759L2TR
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
126,96 Kč
(bez DPH)
153,62 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 43 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 49 | 126,96 Kč |
| 50 - 99 | 109,17 Kč |
| 100 - 499 | 106,21 Kč |
| 500 - 1999 | 103,49 Kč |
| 2000 + | 100,78 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-5220
- Výrobní číslo:
- AUIRF7759L2TR
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 160A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 75V | |
| Řada | HEXFET | |
| Typ balení | DirectFET | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | AEC-Q101 | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 160A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 75V | ||
Řada HEXFET | ||
Typ balení DirectFET | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení AEC-Q101 | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MX
Výkonový MOSFET Infineon je navržen pro aplikace, kde je nezbytná účinnost a hustota výkonu. Pokročilá balicí platforma DirectFET v kombinaci s nejnovější křemíkovou technologií umožňuje podstatné úspory na úrovni systému a zlepšení výkonu zejména v pohonu motoru, vysokofrekvenčním DC/DC a dalších aplikacích s vysokou zátěží na platformách ICE, HEV a EV. Tento MOSFET využívá nejnovější techniky zpracování pro dosažení nízkého odporu při zapnutí a nízkého Qg na křemíkovou plochu. Dalšími vlastnostmi tohoto MOSFET je vysoká schopnost opakovaného špičkového proudu. Díky kombinaci těchto funkcí je tento MOSFET vysoce účinným, robustním a spolehlivým zařízením pro aplikace v automobilovém průmyslu s vysokým proudem.
V souladu s RoHS
Oboustranné chlazení
Vysoká hustota výkonu
Kvalifikace pro automobilový průmysl
Nízké parazitické parametry
Bez obsahu olova a halogenů
Pokročilá procesní technologie
Související odkazy
- AEC-Q101 DirectFET Infineon
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový -160 A -30 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET IRF9383MTRPBF Typ N-kanálový -160 A -30 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 375 A 40 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 124 A 100 V Infineon, DirectFET
- řada: HEXFET MOSFET Typ N-kanálový 217 A 40 V Infineon, DirectFET
- AEC-Q101 DirectFET, počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: DirectFET DirectFET, počet kolíků: 15 kolíkový