AEC-Q101, řada: SPD18P06P G MOSFET Typ P-kanálový -18.6 A 60 V Infineon, PG-TO252-3, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
273-2832
Výrobní číslo:
SPD18P06PGBTMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

-18.6A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

SPD18P06P G

Typ balení

PG-TO252-3

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

3

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

22nC

Minimální provozní teplota

-55°C

Přímé napětí Vf

1.33V

Maximální ztrátový výkon Pd

80W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

40mm

Normy/schválení

IEC 68-1, RoHS, AEC Q101

Šířka

40mm

Výška

1.5mm

Automobilový standard

AEC-Q101

MOSFET Infineon je MOSFET s P-kanálem a režimem vylepšení. Má provozní teplotu 175 stupňů Celsia. Tento MOSFET je certifikován podle normy AEC Q101.

V souladu s RoHS

Jmenovitá hodnota laviny

Bezolovnatá povrchová úprava

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.