řada: OptiMOS MOSFET IPDD60R050G7XTMA1 Typ N-kanálový 57 A 650 V Infineon, PG-HDSOP-10-1, počet kolíků: 10 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET

Mezisoučet (1 naviják po 1700 kusech)*

195 612,20 Kč

(bez DPH)

236 691,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 01. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1700 +115,066 Kč195 612,20 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
273-2787
Výrobní číslo:
IPDD60R050G7XTMA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

57A

Maximální napětí na zdroji Vds

650V

Typ balení

PG-HDSOP-10-1

Řada

OptiMOS

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

10

Maximální odpor zdroje Rds

50mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

278W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

68nC

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

Infineon MOSFET se snadno používá a splňuje nejvyšší standardy kvality. Je možné zvýšit úspory měřítka použitím v topologiích PFC a PWM v aplikaci. Snižování induktivity parazitického zdroje pomocí Kelvin Source zlepšuje účinnost díky rychlejšímu spínání a snadnému použití díky menšímu zvonění.

Celkově bez obsahu olova

V souladu s RoHS

Snadná vizuální kontrola vodičů

Zlepšuje tepelný výkon

Vhodné pro tvrdé a měkké spínání

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.