řada: OptiMOS MOSFET IAUTN12S5N018TATMA1 N-kanálový 120 A 120 V Infineon, PG-HDSOP-16-1, počet kolíků: 16 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 284-711
- Výrobní číslo:
- IAUTN12S5N018TATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 10 kusů a ušetřete 9%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
204,76 Kč
(bez DPH)
247,76 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 07. června 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | Úspora |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 204,76 Kč | - |
| 10 - 99 | 184,76 Kč | 9% |
| 100 - 499 | 170,18 Kč | 16% |
| 500 - 999 | 157,59 Kč | 23% |
| 1000 + | 141,28 Kč | 31% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 284-711
- Výrobní číslo:
- IAUTN12S5N018TATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 120A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 120V | |
| Řada | OptiMOS | |
| Typ balení | PG-HDSOP-16-1 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 16 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 1.8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 358W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS Compliant | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 120A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 120V | ||
Řada OptiMOS | ||
Typ balení PG-HDSOP-16-1 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 16 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 1.8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 358W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS Compliant | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový tranzistor Infineon OptiMOS 5 Automotive Power MOSFET nabízí výjimečný výkon a spolehlivost pro automobilové aplikace. Tento výkonový tranzistor je navržen tak, aby splňoval přísné požadavky automobilového průmyslu a zajišťoval vynikající účinnost a robustní funkčnost. Má rozšířenou kvalifikaci nad rámec normy AEC Q101 a prochází rozšířeným elektrickým testováním, které zaručuje odolnost i v náročných podmínkách. Toto zařízení podporuje široký rozsah provozních teplot, takže je vhodné pro různé podmínky v automobilovém průmyslu. Díky nízkému odporu v zapnutém stavu a vysoké schopnosti trvalého odběrového proudu je tento tranzistor MOSFET ideální volbou pro náročné úlohy řízení spotřeby, což zaručuje, že výkon vozidla zůstane nekompromisní.
Navrženo pro automobilový průmysl
Odolnost pro náročná prostředí
Rozšířené testování spolehlivosti
Vynikající tepelný výkon
Vysoká účinnost s minimálními ztrátami
Lavinová odolnost proti přechodným energetickým jevům
Klasifikace MSL1 do 260 °C
Pokročilé nabíjení hradla pro efektivní spínání
Související odkazy
- řada: OptiMOS MOSFET IAUTN12S5N018TATMA1 N-kanálový 120 A 120 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPTC017N12NM6ATMA1 N-kanálový 331 A 120 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPTC007N06NM5ATMA1 N-kanálový 454 A 60 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IAUTN06S5N008TATMA1 N-kanálový 503 A 60 V Infineon počet kolíků: 16 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPDD60R050G7XTMA1 N-kanálový 57 A 650 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový
- řada: OptiMOS MOSFET IPDD60R180CM8XTMA1 N-kanálový 21 A 650 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET IPDD60R037CM8XTMA1 N-kanálový 72 A 650 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET N-kanálový 57 A 650 V Infineon počet kolíků: 10 kolíkový Vylepšení