řada: OptiMOS-T2 Výkonový MOSFET Typ N-kanálový 20 A 40 V Infineon, TDSON-8-4, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 273-2628
- Výrobní číslo:
- BSC076N04NDATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
240,08 Kč
(bez DPH)
290,495 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 85 jednotka(y) budou odesílané od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,016 Kč | 240,08 Kč |
| 50 - 495 | 43,67 Kč | 218,35 Kč |
| 500 - 995 | 34,284 Kč | 171,42 Kč |
| 1000 - 2495 | 33,592 Kč | 167,96 Kč |
| 2500 + | 32,802 Kč | 164,01 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 273-2628
- Výrobní číslo:
- BSC076N04NDATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 20A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 40V | |
| Řada | OptiMOS-T2 | |
| Typ balení | TDSON-8-4 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 7.6mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 65W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 20A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 40V | ||
Řada OptiMOS-T2 | ||
Typ balení TDSON-8-4 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 7.6mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 65W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
Automobilový standard Ne | ||
Výkonový MOSFET Infineon je výkonový MOSFET N-kanál 40 V. Tento MOSFET je optimalizován pro aplikace pohonů a je 100% lavinově testován. Je kvalifikován pro průmyslové aplikace podle příslušných testů JEDEC47 20 2.
Bez obsahu halogenů
V souladu s RoHS
Bezolovnatá povrchová úprava
MOSFET s rychlým spínáním
Vynikající tepelná odolnost
Související odkazy
- řada: OptiMOS-T2 Výkonový MOSFET BSC076N04NDATMA1 Typ N-kanálový 20 A 40 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Režim
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon Vylepšení 2 Režim
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon
- AEC-Q101 TDSON, počet kolíků: 8 kolíkový Infineon
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 13 A 34 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: OptiMOS MOSFET Typ N-kanálový 57 A 30 V Infineon počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení