AEC-Q101, řada: SQJ MOSFET SQJ186ELP-T1_GE3 N-kanálový 66 A 80 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
268-8364
Výrobní číslo:
SQJ186ELP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

66A

Maximální napětí na zdroji Vds

80V

Typ balení

PowerPAK 8 x 8 l

Řada

SQJ

Typ montáže

Montáž na plošný spoj

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

0.032Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální ztrátový výkon Pd

135W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

45nC

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

4.9mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN
Automobilový tranzistor MOSFET generace 4 s N-kanálem TrenchFET společnosti Vishay je zařízení bez obsahu olova a halogenů. Jedná se o jedno konfigurační zařízení, které je nezávislé na provozní teplotě.

Certifikace AEC Q101

V souladu s ROHS

Testováno UIS 100 %

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.