AEC-Q101, řada: SQJ MOSFET SQJ457EP-T1_GE3 Typ P-kanálový 36 A 60 V, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 8 kolíkový Vishay 1

Zobrazit vše v kategorii MOSFET
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Skladové číslo RS:
180-7403
Výrobní číslo:
SQJ457EP-T1_GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Typ P

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

36A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

SQJ

Typ balení

PowerPAK 8 x 8 l

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

0.025Ω

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí zdroje brány Vgs

20V

Maximální ztrátový výkon Pd

68W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

65nC

Přímé napětí Vf

1.2V

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

5.13mm

Délka

6.15mm

Výška

1.14mm

Normy/schválení

AEC-Q101

Počet prvků na čip

1

Automobilový standard

AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):
CN

MOSFET Vishay


Vishay MOSFET je P-kanál, TO-263-3 balení je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 60V a maximální hradlo-zdroj napětí 20V. Má odpor zdroje vypouštění 6.7mohm na napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální ztrátový výkon 375W. Tento produkt byl optimalizován pro nižší ztráty při spínání a vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody


• Halogenová a olověná (Pb) volná složka

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 175°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace


• přepínače adaptéru

• DC / DC primární spínače

• spínače zátěže

• řízení výkonu

Certifikace


• certifikace AEC-Q101

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• testováno RG

• UIS testován

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.