řada: SIHK MOSFET SIHK045N60EF-T1GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay, PowerPAK 10 x 12, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8305
- Výrobní číslo:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
99,79 Kč
(bez DPH)
120,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 884 jednotka(y) budou odesílané od 10. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 49 | 99,79 Kč |
| 50 - 99 | 93,86 Kč |
| 100 - 249 | 92,87 Kč |
| 250 + | 91,88 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8305
- Výrobní číslo:
- SIHK045N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 47A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerPAK 10 x 12 | |
| Řada | SIHK | |
| Typ montáže | Montáž na plošný spoj | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.052Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 278W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 105nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 9.9mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 47A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerPAK 10 x 12 | ||
Řada SIHK | ||
Typ montáže Montáž na plošný spoj | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.052Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 278W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 105nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 9.9mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET Vishay s rychlou diodou a technologií řady E 4. generace snižuje spínací a vedení ztráty a používá se v aplikacích, jako jsou spínané napájecí zdroje, serverové napájecí zdroje a napájecí zdroje pro korekci činitele výkonu
Nízká efektivní kapacita
Jmenovitá lavinová energie
Nízká hodnota
Související odkazy
- řada: SIHK MOSFET SIHK045N60EF-T1GE3 N-kanálový 47 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHK045N60EF-T1GE3 N-kanálový 47 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK125N60EF-T1GE3 N-kanálový 21 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK185N60EF-T1GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHK MOSFET SIHK155N60EF-T1GE3 N-kanálový 18 A 600 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHK045N60E-T1GE3 N-kanálový 48 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení