řada: EF Výkonový MOSFET SIHG085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay, TO-247AC, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8297
- Výrobní číslo:
- SIHG085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 jednotka)*
203,03 Kč
(bez DPH)
245,67 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 499 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 1 - 4 | 203,03 Kč |
| 5 - 9 | 198,84 Kč |
| 10 - 99 | 182,78 Kč |
| 100 - 499 | 149,68 Kč |
| 500 + | 127,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8297
- Výrobní číslo:
- SIHG085N60EF-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | Výkonový MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 34A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | TO-247AC | |
| Řada | EF | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.084Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 184W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 63nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 15.7mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu Výkonový MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 34A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení TO-247AC | ||
Řada EF | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.084Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 184W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 63nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 15.7mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Výkonový tranzistor MOSFET řady Vishay EF, maximální zdrojové napětí vypouštění 650 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A – SIHG085N60EF-GE3
Tento výkonový MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení N-kanálu navržené pro montáž do průchozího otvoru v napájecích sestavách. Je určen pro použití tam, kde je vyžadováno robustní vysokonapěťové spínání a efektivní vedení v rozšířených teplotních rozmezí, a je v souladu s environmentálními omezeními RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitý odvod 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A podporuje velkou manipulaci se zátěží
• Rds(on) 0,084 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 184 W umožňuje významný tepelný průtok
• Typický náboj hradla 63 nC nabízí předvídatelné požadavky na pohon
• Provozní rozsah -55 °C až 150 °C umožňuje použití v náročných podmínkách
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 34 A podporuje velkou manipulaci se zátěží
• Rds(on) 0,084 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 184 W umožňuje významný tepelný průtok
• Typický náboj hradla 63 nC nabízí předvídatelné požadavky na pohon
• Provozní rozsah -55 °C až 150 °C umožňuje použití v náročných podmínkách
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínané napájecí zdroje
• Ideální pro inverzní stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s diskrétními výkonovými měniči v robotice
• Lze použít pro přední spínací stupně měniče
• Vhodné pro obvody pro korekci účiníku
• Ideální pro inverzní stupně průmyslového motorového pohonu
• Používá se s diskrétními výkonovými měniči v robotice
• Lze použít pro přední spínací stupně měniče
• Vhodné pro obvody pro korekci účiníku
Jaké pouzdro a typ montáže používá?
Dodává se v pouzdru TO-247AC a je navržen pro montáž do průchozího otvoru, což umožňuje bezpečné upevnění desky a snadné chlazení.
Jaké limity napětí pohonu hradla je třeba dodržovat?
Maximální jmenovité napětí mezi bránou a zdrojem je 30 V, takže obvody pohonu brány musí zůstat v této mezě, aby se zabránilo poškození brány.
Jak se tepelná výkonnost vztahuje k instalaci?
Jmenovitý rozptyl 184 W zařízení vyžaduje odpovídající chladič a tepelnou správu, aby se udržely teploty spoje pod stanovenými limity během provozu s vysokým výkonem.
Je vhodný pro automobilové systémy?
Není specifikováno podle norem pro automobilový průmysl
Vhodnost závisí na požadavcích na bezpečnost a kvalifikaci systému nad rámec poskytnutých hodnot.
Související odkazy
- řada: EF Výkonový MOSFET SIHG085N60EF-GE3 N-kanálový 34 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHG MOSFET SIHG150N60E-GE3 N-kanálový 22 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHG041N65SF-GE3 N-kanálový 74 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHG050N65SF-GE3 N-kanálový 64 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHG080N65SF-GE3 N-kanálový 46 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHG026N65E-GE3 N-kanálový 88 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: E Series MOSFET SIHG100N65E-GE3 N kanál-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SF Series MOSFET SIHG110N65SF-GE3 N kanál-kanálový 33 A 650 V Vishay počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení